台积电2纳米获得重大突破

来源：经济日报（台） 台积电冲刺先进制程，在2纳米研发有重大突破，已成功找到路径，将切入GAA（环绕闸极）技术，为台积电发展鳍式场效电晶体（FinFET）取得全球绝对领先地位之后，迈向另一全新的技术节点。尽管劲敌三星已早一步切入GAA，台积电仍有信心以2纳米切入GAA技术，在全球晶圆代工市场持续维持绝对领先地位。 这是台积电继去年9月正式对外宣告投入2纳米技术研发之后，在2纳米技术的重大进展，凸显

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