台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题

台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题。 台积电：第一代官宣2nm制程，领先于研发进度。 据台湾经济日报报道，台积电在2nm工艺上有重大突破，研发进度领先，业界预计2023年下半年将实现90%的风险试产良率。 与3nm和5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)结构不同的是，台积电2nm采用了全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)结构，据台媒称，这一研发进展领先。 据悉，台积电去年成立了

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