3纳米、2纳米、1纳米芯片该如何造？

来源：EETOP编译 目前台积电和三星正在加紧开发他们的3nm和2nm技术，目前预计分别在2022年和2024年推出。1nm及以上工艺也正在进行中，但是距离仍然很远。 业界希望从3nm开始，从当今的finFET晶体管过渡到全能栅极或称为环绕式栅极FET(GAA)。在2nm甚至更高的制程下，业界正在研究当前和新版本的GAA晶体管。 在这些节点上，芯片制造商可能会需要新设备，例如下一代极紫外线（EUV

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