carbon nanotubes 碳纳米管晶体管

今天抽时间回答了一下知乎提问“3nm之后，芯片制造何去何从”的问题。 后摩尔技术有很多选择，如三星正在推动的GAA和FinFET发明者胡正明教授正在推动的负电容晶体管都是当中的代表，碳纳米管则是另一拨人坚持的流派。 碳纳米管技术的原子量级的管径保证了器件具有优异的栅极静电控制能力，更容易克服短沟道效应。 其超高的载流子迁移率则保证器件具有更高的性能和更低的功耗。 所以这种材料被认为是构建亚10纳米

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