WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR

单N沟道，20V，0.95A，功率MOSFET 说明 WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723 应

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