WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体管

单P沟道，-20V，-3.2A，功率MOSFET 说明 WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，L

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