WNM2021-3/TR N通道增强型MOS场效应晶体管

描述 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤 特征FAE：13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻 极低的阈值电压 小型封装SOT-323 应用 DC-DC转换器电路 负载开关 等级转换 小信号开关

>>阅读原文<<