WNM6002 N通道增强功能MOS场效应晶体管

单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET 说明 WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-323 应

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