WNM4153-3/TR增强功能 MOS场效应晶体管WILLSEM

WNM4153 N沟道20V 0.88A 小信号MOSFET 说明 WNM4153是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽 技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换应用。 标准产品 WNM4153是无铅的。 特征 FAE:13723714328 沟槽N通道 超高密度电池设计，极低RDS（ON） 出色的导通电阻和最大直流电压 目前的能力采用SOT-523

>>阅读原文<<