WNM2024-3/TR功率MOSFET场效应晶体管

描述 单N沟道，20V，3.9A，功率MOSFET WNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，LED

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