WNM6001单N沟道 60V 0.50A 功率MOSFET晶体管WILLSEM

WNM6001 单N沟道，60V，0.50A，功率MOSFET, WILLSEM 说明 WNM6001是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6001不含铅，不含卤素。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低

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