实际二极管

实际二极管的伏安特性曲线 实际二极管伏安特性曲线 Si的死区电压为0.5V，Se锗的死区是0.7 死区电压 对于这个曲线有个描述的公式 不需要记 参数方程 在仿真中，我们发现当二极管的反向电压极大时，反向电流也会不断上升，这就是二极管的反向击穿 Tina仿真 反向击穿部分 怎么求解含二极管的电路的电信号呢？ 1.解析法： 用参数方程和电路方程带进去算，梯度下降都可以，计算机中用，我们计算题不介绍

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