NAND Flash底层原理，SLC MLC TLC比较

NAND-Flash 的存储原理 　　固态硬盘最小单元的基本架构如下： 　　我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1，原则上，只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态，便可以拿来纪录数据。 （1）写入数据 　　在 NAND-Flash 中，当我们需要写入数据时，会在图中的控制闸（Control Gate）施加高电压，然后允许源极（Source）与汲极（Drain）间的 N信道（

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