《LPMM》——Chapter1

1.1   随着先进工艺技术的发展，特征尺寸缩小到一定程度时，泄漏电流急剧增大，在某些工艺节点下相当甚至超过动态电流。   由于功耗密度已经非常大（对封装等来说接近极限），因此，不再通过提高时钟频率来提升性能，而是采用多处理器芯片（多核），取代单核高性能芯片。   降低泄漏方法： 电源门控PG（在闲置时power down该模块，工作时再上电） 多阈值库（tradeoff 泄漏vs速度，高vt的泄

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