《涨知识啦19》---HEMT 的电流崩塌效应
《涨知识啦19》—HEMT 的电流崩塌效应 在之前的《涨知识啦》章节中，小赛已经介绍了GaN材料中极化效应以及二维电子气（2DEG）的产生原理。因2DEG具有超高的沟道迁移率，所以2DGE可以应用在高电子迁移率晶体管（HEMT）中，而本周主要介绍的是GaN基HEMT中存在的电流崩塌现象。HEMT主要是以2DEG为导电沟道中的电流载体，通过改变栅电极偏置电压控制沟道中2DEG的通断，实现对HEMT电
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