《涨知识啦21》---增强型 HEMT器件

GaN 基高电子迁移率场效应管(HEMT)在高频大功率器件方面具有突出的优势，并在其应用领域已取得重要进展，但GaN基HEMT器件大功率应用的最大挑战是其“normally-on”特性。对于传统的AlGaN/GaN HEMT器件，沿Ga面方向外延生长的结构存在较强的极化效应，导致在AlGaN/GaN异质结界面处产生大量的二维电子气（2DEG），且在零偏压下肖特基栅极无法耗尽沟道中高浓度的二维电子气

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