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《涨知识啦6》---压电极化效应
时间 2020-12-23
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芯片设计
半导体器件
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上一讲我们介绍了GaN材料的自发极化效应,本讲我们继续介绍与之对应的压电极化效应。压电极化效应是由两种材料之间的晶格失配引起的。 当在一种材料衬底上外延生长另外一种晶格常数不匹配的材料时,如果两种材料晶格常数间差异很小且外延层的厚度不超过临界值时,仍然可以获得晶格匹配的异质结。此时,外延层为适配衬底的晶格常数将会在平行于横截面的方向产生拉伸应变或压缩应变,垂直于横截面方向的晶格也将产生相应应变。
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