everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。本文主要介绍描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。 图1. Everspin 40nm 1.

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