VCSEL激光器、SBD肖特基二极管最新研究成果

成果一 基于Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，我司技术团队深入探索了实现GaN VCSEL横向电流限制的根本原因。研究发现，横向电流限制不是由埋入式绝缘体的电阻特性引起的，而潜在的原因在于埋层绝缘体可承担电压，因此会引起孔内和孔外之间的电势差，进而会产生横向能带势垒。为了减小横向势垒高度，技术团队建议使用具有介电常数较大、绝缘体厚度较薄的限制孔，以增加横向电流的限制作用。他们发现增

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