原理图地址:http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3020313.HTM?click_from=8800020962,4950449047,2014-05-01,EDNCOL,NEWSLETTERgoogle
首先要感谢MariannaZhuspa
问:请问能把你的一些封装库发给我吗?我试着用Altium Designer去画原理图,但是没有原件,我不会画,刚接触,求指教,谢谢~blog
答:我用的绘图软件是CadsoftEagle,基本上用里面自带的库。ip
问:博主,请问你的原理图中的中间上面在+12V与GND之间使用电容是去耦的做用吧?io
那么为何有1个采用有极性的电容,而其它的又是没有极性的呢?另外,有6个+24V与地(PE)之间采用电容,一样也分有极性和无极性的,为何?原理
更重要的是,原理图中只有在H桥的部分采用+24V的电源,怎么会使用6个呢?这点很不明白。cli
最后,图中左上角,在地(PE)与GND之间为什么会采用电阻,并且电阻的阻值为0,弄不明白?请博主指点一下,虚心求教。能不能告诉我一下QQ,能够好好交流一下,谢谢~软件
答:+12V和GND之间的大容量有极性电容用做储能,配合一个104的无极性陶瓷电容滤除电源的高频噪声;其余104的无极性陶瓷电容用做芯片的旁路。im
答:+24V和PE之间,使用了3对有极性大容量铝电解电容,配合104无极性陶瓷电容。使用多个电容并联可以减少电容的RMS,效果会更好。命名
答:0欧姆的电阻用做地平面的隔离,GND和PE其实电平是同样的,可是但愿覆铜的时候它们能够分开,因此使用0欧姆的电阻使之单点共地。
问:请问你的原理图中:X4-1,X4-3,X4-5都是接单片机或者FPGA的IO口,而后X4-2,X4-4,X4-6都是接地吗?若是是接地,那么是接GND仍是PE呢?
还有我看见你的有个第二版是+12P经VPP从LM2596给出,这个若是采用,那么扇热是否是一个很大的问题,能不能把原理图参考一下~
我想把你的这个原理图弄懂
答:246能够接地,但最好接vcc
单片机部分的vcc
由于单片机的io灌电流,通常要比驱动电流大一些
lm2596的散热不是大问题,由于它只负责给芯片供电,并不驱动电机,电流很小
问:我想了好久,前面的是否是弄错了~应该是246接单片机IO口,而后135接VCC,这样的话,光耦中的发光二极管就至关因而灌电流负载接法。其实这样的接法我又有一个疑问:在你下面遇到
的“问题二,光耦的选型?”中“6N135和TLP521-1的输入端,压降约为1.6V,推荐的工做电流为16mA”那么对于单片机的最大灌电流10mA来讲,这个不是很大吗?
这里究竟是怎么接法,我有点糊涂了
答:确实是135接vcc,246接io口
我没多想就弄反了
虽然推荐的为16ma,可是通常都不会用这么大
问:那么怎么保证不会超过单片机的最大灌电流10mA,若是超过了不就是不稳定了吗
问:还有你前面说的:“单片机的io灌电流,通常要比驱动电流大一些”,单片机的驱动能力不是由拉电流和灌电流决定吗?为何单片机的io灌电流,通常要比驱动电流大一些
这个我也不是很理解
答:300欧姆的限流电阻,3.3-1.6=1.7的压降,也就不到6ma
那个驱动电流,其实就是输出电流的意思
单片机的io口电流,能够从vcc往io里面灌,也能够从io输出通过负载往gnd走
问:你这个驱动电路最大能驱动大多电流的步进电机呢
单片机的io口,若是接的负载电阻很小,好比应该接1k的只接了100偶,就可能烧坏io口。强悍点的io口可能不会坏,可是电平被小电阻拉过去了
这个h桥是6a的
6a通过8小时运行,实际上还能大一些
问:请问你这个24V的地和12V的地,画PCB的时候分别铺两层铜?这两个都是模拟地,若是个人原理图中还有数字地,那么我不是要铺3层铜把地隔开~你这个用0欧姆电阻分开的两个地必须
要分开吗?若是合在一块儿会有多大影响呢?
答:不一样的地确实最好分开铺,数字地也是。最好是分开,铺在一块儿的话效果稍微差一下
不算是几层铜,而是一层铜被分隔成几块。
0欧至关于就是单点共地,不用它而是画pcb的时候用线也是能够的
使用0欧主要是便于命名不一样的gnd
问:请问你当时画PCB时,6N135的封装是怎么画的呢?6N135的datasheet上面是方孔,方孔不是干扰大吗?你是怎么作的呢?
这个是datasheet里面的截图,请指教一下,第一次画PCB,不懂
答:actually,cadsoft eagle里面自带6n135的库
普通的椭圆形dip8封装
问:我用的是Altium Designer,eagle不会用,DIP8普通的焊盘能够用吗?
答:能够的
问:
答:第一个问题,散热片由于没有电气链接,因此画出示意图加封装就行了,到时候随意摆放,它和mos管必须用 隔离墩 聚xx片(名字忘了,灰色的时候布片) 以及导热硅脂相连
才能既传递热量,又不会短路,由于mos管的背板和它的中间引脚是连通的
图中的这个是封装库的原理图,它和pcb封装没有必然联系,就算这个图里面画了四朵花,只要它的封装画的是实际尺寸就行
c12和r14的值不要太大,1k加104就行了,不焊也行。它们的做用是让负载两端的电压不要有毛刺,负载不同的时候,经过调整它们的值来得到更好的效果
选1k是不对的
1k是适用于晶体管的值,mos栅极是电压控制,输入电阻很是大,因此没有必要用更大的电阻限流。大电阻反而会减慢信号传递的速度
问:
答:这些我知道个大概,提及来内容太多了
建议FQ去google
问:你的24V和PE之间的有极限电容选取的是多大呢
还有就是+12V与GND之间的有极性电容选取的是多大
电容和电阻的封装0805能够吗?
答:大电流用大电容
封装的参数和电流有关
小电流用小电容
像电流很小的时候用0805就是能够的
问:请问一下,你这个H桥是怎么控制的,我有点不懂,能不能解释一下~