TPS53355DQPR半导体场效应应晶体管

　　描述
　　TPS53355DQPR是一款集成有金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）的D-CAP?模式，30A同步开关。它的设计目标是简单易用，减小外部组件，以及适用于空间受限的电源系统。
　　该器件采用5mΩ/2.0mΩ集成MOSFET，精度为1％，基准电压为0.6V，并具有一个集成升压开关。富有竞争力的特性包括：1.5V至15V宽转换输入电压范围，所用外部组件极少，针对超快瞬变的D-CAP?模式控制，自动跳跃模式运行，内部软启动控制，可选频率而且无需补偿。
　　品牌：TI
　　型号；TPS53355DQPRDQPR
　　封装：QFN22
　　包装：2500
　　年份：18+
　　转换输入电压范围为1.5V至15V，电源电压范围为4.5V至25V，输出电压范围为0.6V至5.5V。该器件采用5mm×6mm，22引脚QFN封装，额定工做温度范围为-40°C至85°C。
　　特性
　　FAE：13723714318
　　最高效率达96％
　　转换输入电压范围：1.5V至15V
　　漏极电源电压（VDD）输入电压范围：4.5V至25V输出电压范围：0.6V至5.5V5V低压降（LDO）输出
　　支持单电源轨出入
　　带有30A持续输出电流的集成型功率金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）自动跳跃Eco-mode?，用于实现轻负载效率<10μA关断电流
　　针对快速瞬态响应的D-Cap +?模式
　　可经过外部电阻在250kHz至1MHz范围内选择开关频率可选的自动跳跃或者只支持脉宽调制（PWM）运行内置1％0.6V基准电压。
　　0.7ms，1.4ms，2.8ms和5.6ms可选内部电压伺服系统软启动集成升压开关预充电启动能力
　　支持可调节的过流限制和温度补偿
　　过压，欠压，欠压锁定（UVLO）和过热保护
　　支持全部陶瓷输出电容
　　开漏电源良好指示
　　组装有NexFET?电源块技术
　　22引脚四方扁平无引脚（QFN）封装，采用PowerPAD?
　　概述
　　TPS53355DQPR是一款高效率，单通道，同步降压转换器，适用于低输出电压计算和相似数字消费应用中的负载点应用。该设备具备专有功能D-CAP?模式控制与自适应导通时间架构相结合。这种组合很是适合建筑现代低占空比，超快速负载阶跃响应DC-DC转换器。输出电压范围为0.6 V至5.5 V.转换输入电压范围为1.5 V15 V，VDD偏置电压为4.5 V至25V. D-CAP?模式使用输出电容的等效串联电阻（ESR）来检测器件当前。该控制方案的一个优势是它不须要外部相位补偿网络。这容许外部元件数量少的简单设计。八个预设开关频率可使用从RF引脚链接到地或VREG的电阻来选择值。自适应导通时间控制在宽输入和输出电压范围内跟踪预设开关频率，同时容许切换在负载升压时频率增长。
　　TPS53355DQPR具备MODE引脚，可在自动跳过模式和强制连续导通模式之间进行选择（FCCM）适用于轻载条件。 MODE引脚还设置可选的软启动时间，范围为0.7 ms至5.6 msTPS53355DQPR没有专用振荡器来肯定开关频率。 可是，该设备经过将输入和输出电压前馈到导通时间单输出，以伪恒定频率工做计时器。 自适应导通时间控制将导通时间调整为与输入电压成反比与输出电压成正比（tONαVOUT/ VIN）。这使得开关频率在宽输入电压范围内的稳态条件下至关恒定。开关频率可经过链接在RF引脚和之间的电阻从8个预设值中选择GND或RF引脚与VREG引脚之间如表1所示。（保持开路电阻设置为开关频率为500 kHz。）关断时间由PWM比较器调制。 VFB节点电压（电阻分压器的中点）是与添加斜坡信号的内部0.6V参考电压相比。 当两个信号匹配时，PWM比较器置位置位信号以终止关断时间（关闭低端MOSFET并导通高端MOSFET）。 若是电感电流水平低于OCP阈值，则设定信号有效，不然关闭时间延长直到当前水平低于阈值。图35和图36显示了两种导通时间控制方案。
　　TPS53355DQPR在0.6 V基准电压源上增长了一个斜坡信号，以提升抖动性能。 如中所述在前一节中，将反馈电压与参考信息进行比较，以保持输出电压在监管中。 经过向参考添加一个小的斜坡信号，在一个新的开始时的信噪比开关周期获得改善。 所以，操做变得更少抖动和更稳定。 斜坡信号是控制在开启周期开始时为-7 mV，在关闭周期结束时为0 mV稳定状态。
　　在跳过模式操做期间，在不连续导通模式（DCM）下，开关频率低于标称频率和关闭时间比CCM中的关闭时间长。 因为停机时间较长，因此斜坡信号在穿过0 mV后延伸。 可是，它被钳位在3 mV以最小化DC偏移。
　　TPS53355DQPR具备自适应过零电路，可优化零电感电流在跳过模式操做中检测。 该功能追求理想的低端MOSFET关断时序和补偿Z-C比较器的固有偏移电压和Z-C检测电路的延迟时间。 它防止由太晚检测引发的SW节点摆动，并最小化由此引发的二极管导通周期早期发现。 结果，提供了更好的轻载效率。
　　TPS53355DQPR具备电源就绪输出，当切换器输出在目标范围内时，该输出指示高电平。 力量好软启动完成后激活功能。 若是输出电压在+ 10％和-5％以内目标值，内部比较器检测电源良好状态，电源良好信号变为高电平后1-ms内部延迟。 若是输出电压超出目标值的+ 15％或-10％，则为电源良好信号在内部延迟2微秒（2-μs）后变低。 电源就绪输出是开漏输出必须从外部拉起来。电源就绪MOSFET经过VDD引脚供电。 VVDD必须> 1 V才能得到有效的功率逻辑。 建议将PGOOD拉至VREG（或从VREG分压的电压）以使电源良好即便没有VDD电源，逻辑仍然有效。