恩智浦智能车MOS双驱动

“恩智浦”智能车MOS双驱动 特性： 控制信号3.3V与5V兼容 模块供电电压：5V-12V 双路PWM调制，控制电机正反转，占空比0%~100% 工作频率可达200KHz（建议频率范围10K-20KHz） MOSFET采用大功率耐电流冲击型，内阻约为3mΩ 一整年使用验证，从未烧过 开窗设计，电流主路100mil设计 含有芯片： IRLR7843【MOS管】、HIP4082I【驱动芯片】、MC3

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