Everspin MRAM技术的可靠性

与大多数其余半导体存储技术不一样，数据存储为磁性状态而不是电荷，并经过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷同样随时间泄漏，所以即便关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，所以不存在已知的磨损机制。
 
Everspin MRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为愈来愈多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。
 
Everspin MRAM技术产品组合

 

Everspin切换MRAM技术

Everspin MRAM与标准CMOS处理集成Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每一个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于存储单元。

 
磁性隧道结存储元件
磁性隧道结（MTJ）存储元件由固定磁性层，薄介电隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时，被磁性层自旋极化的电子将经过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。

当自由层的磁矩平行于固定层时，MTJ器件具备低电阻，而当自由层磁矩与固定层矩反平行时，MTJ器件具备高电阻。电阻随设备磁性状态的变化是一种被称为磁阻的效应，所以被称为“磁阻” RAM。