非易失性MRAM技术发展

切换(或场驱动)MRAM包括大部分的独立MRAM设备。然而切换MRAM的规模不足以取代大多数其他记忆。STT-MRAM产品将扩展到更高的密度，需要更低的能量写比切换MRAM。2019年已发运大部分MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存

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