非易失性MRAM切换技术

下面介绍关于切换MRAM技术 切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。 在读取期间，传输晶体管被激活，并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据。在写入期间，来自写入线1和写入线2的磁场会在两条线的交点处写入单元，但不会干扰任一条线上的其他单元。 MRAM产品采

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