数字集成电路设计——MOS结构

一、MOS不同工作区间 1. Vgs=0 阈值电压： 2. 电阻工作区 Vgs>VT 3. 饱和区 4. 沟长调制效应 —— Vds的影响 5. 速度饱和 —— 沟道非常短的情况 载流子的速度因为散射效应（载流子之间的碰撞）趋于饱和 6. 亚阈值情况 当Vg < VT但Vg > 0的时候，也是有很少的电流的。出现强反型意味着有足够载流子参与导电。 总结 手工分析模型： 二、MOS管的电阻 通过计算

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