集成电路基础知识-器件-MOS结构&VI特性

以反相器为例，+代表浓度较高，为了使PMOS和NMOS的衬底反偏，将P阱接GND，将N阱接Vdd。  沟道夹断：进入饱和区 ■当Vds更大时，靠近漏极的反型层开始出现夹断。 思考题： ■当MOS管的栅源电压Vgs低于阈值电压时MOS管会完全关断吗? 不会完全夹断，会工作在亚阈区，电阻斜坡式增加。 ■耗尽层和反型层的区别是什么? 栅和衬底形成了电容，随着Vg的增大，栅极上出现很多正电荷，从而使得P型

>>阅读原文<<