模拟集成电路设计：MOS器件物理模型(1)

MOS器件是模拟集成电路设计的基础，本推文简单列举一下基本知识点： 1、基本器件模型 以下模型是针对长沟器件 图 1 MOS 器件结构 通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要接参考的。通常NMOS器件衬底接地（或最低电平），相对应PMOS器件衬底接电源（或最高电平）。衬底电压不同会影响沟道电流。 图 2 衬底的连接 沟道长度调制是在设计过程中是不可忽视的问题

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