英特尔和三星的3D闪存技术有什么差别？

英特尔(Intel)和三星(Samsung)是半导体行业两大巨头。英特尔来自美国，成立于1968年，具备50年的技术沉淀。三星来自韩国，成立于1938年，已经有了80年的历史。

在2017年，三星第一次超过英特尔称为全球最大半导体制造商，市场份额达到了14.6%。2017年以前，一直是英特尔占据第一的宝座。

在3D闪存领域，三星要比英特尔起步早。三星3D NAND的发展轨迹是48层-64层-96层-128层+。英特尔3D闪存主要有两种：3D NAND和3D Xpoint。3D NAND的发展轨迹是32层-64层-96层-128层+。

另外，英特尔和美光共同开发的3D Xpoint闪存是革命性产品，能够实现弯道超车，超越三星，实现3D闪存技术的引领。3D Xpoint内存的优点就是延迟很低，处于DRAM和NAND之间，属于存储级内存(SCM, Storage Memory)

3D Xpoint是英特尔的优点，目前已经了具体的产品，如固态硬盘Optane SSD等。在这里，咱们就不展开了。下面主要介绍一下英特尔3D NAND和三星3D NAND闪存技术的差别。

英特尔3D NAND Vs 三星3D NAND

英特尔3D NAND采用的是浮栅(FG, Floating Gate)技术，经过将电荷存储在导体浮栅之中，实现数据存储的目的。而三星3D NAND采用的是电荷撷取技术(CTF, Charge Trap Flash)，经过将电荷存储在绝缘体之中，实现数据存储的效果。以下图，是英特尔3D NAND和三星3D NAND基本单元结构对比示意图。

FG浮栅技术和CTF电荷撷取技术没有好坏之分，应该是各有千秋。

从三星的角度考虑，CTF电荷撷取技术实现原理和过程更加简单，有利于加快产品进程。此外，电荷存储在绝缘层比存储在导体浮栅中更加的可靠。

从英特尔的角度考虑，FG浮栅技术从2D NAND开始已经很成熟。另外，采用FG浮栅技术的3D NAND的存储单元相互独立，而采用CTF电荷撷取技术的3D NAND的存储单元是链接在一块儿的。这样的话，FG浮栅技术的存储过程更具操做性。另外，英特尔3D NAND采用CuA((CMOS under the Array)的布线架构，将CMOS模块藏于存储块之下，这样占用的面积就更小。与其余竞争对手相比，英特尔采用CuA架构的3D NAND的存储密度要高出约25%。

结语

英特尔和三星的存储产品，好比NAND，固态硬盘SSD等都被誉为业界的标杆。选购这两家的存储产品，应该能够放心使用。

精彩推荐:

• 浅析PCIe链路LTSSM状态机
  

• 浅析PCIe系统性能
  

• LDPC编解码初探
  

• 浅析PCI配置空间
  

• 步入新时代 | PCIe 4.0带来了哪些惊喜？

• PCIe SSD飞入寻常百姓家靠什么？
  

• SCM+MLC/TLC NAND混合SSD性能探究
  

• 浅析企业级SSD Multi-Stream Write技术
  

• 企业级SSD发展趋势
  

• 2D NAND和3D NAND横向对比
  

• 第二代3D TLC NAND原厂级深度评测

• 为QLC保驾护航 | 慧荣科技亮出最新LDPC技术

• SSD固态硬盘接口种类多，你了解多少？
  

• 写放大机制与影响因素详解

• 详解SSD之垃圾回收GC

• SSD为何须要Trim？
  

• OP详解: 谁“偷”走了SSD的容量？

• SSD性能优化之4K对齐

• 文件系统全记录回顾
  

• 快来看，SATA秘籍惊现江湖！！！

• PCIe最全科普贴流出！不说了，赶快Mark！

• 独家发布 | Linux NVMe Driver学习笔记大合集
  

• 存储随笔《NVMe专题》大合集及PDF版正式发布！

更多精彩内容，敬请关注头条号/悟空问答【存储随笔】获取更多活动内容。

同时，也能够关注微信公众号: 存储随笔，Memory-logger.