MOSFET、IGBT的结构与工作原理详解

来自百度百科 先学习一下MOSFET 图1是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图所示。 图  1 从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两

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