FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗

FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM 还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。 使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEP

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