基于新型忆阻器的存内计算原理、研究和挑战

做者 | 林钰登、高滨、王小虎、钱鹤、吴华强node 来源 | 《微纳电子与智能制造》期刊算法 引言编程       过去半个世纪以来 ，芯片计算性能的提升主要依赖于场效应晶体管尺寸的缩小。随着特征尺寸的减少 ，器件的制备成本和制造工艺难度不断增长 ，芯 片性能的提高愈发困难。不只如此 ，器件尺寸也接近物理极限 ，摩尔定律时代即将面临着“终结”[1]。网络 与此同时，大数据[2]技术的发展和以神经

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