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NAND Flash 芯片测试
时间 2020-12-26
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DFT : Design For Testability TTR :Test Time Reduction KGD: Known Good Die NAND Flash 芯片测试主要是为了筛选(Screen Out)出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。 测试流程(Test Flow) 从wafer level,到single component level、module level,定义各项测
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