STB4NK60Z-1原装正品IC供应

　　简介：这些器件是使用STMicroelectronics的SupermeshTM技术开发的N通道齐纳保护功率MOSFET，经过优化ST基于带状结构的PowerMeshTM布局实现。除了大幅度下降导通电阻外，该装置的设计还可确保最大限度地提升dv/dt的能力。要求苛刻的应用程序。

　　STB4NK60Z-1特征：
　　100%雪崩测试
　　内在电容很是低
　　-保护齐纳

　　STB4NK60Z-1应用:
　　开关应用

　　绝对最大额定值:
　　漏源电压：600V
　　栅源电压：±30V
　　Tc=25°C时的漏电流（连续）：4A
　　Tc=100°C时的漏电流（连续）：2.5A
　　漏电流（脉冲）：16A
　　tc=25°C时的总功耗：70W
　　降额系数：0.56W/°C
　　门源人体模型（C=100pF，R=1.5KΩ）：3kV
　　峰值二极管恢复电压斜率：4.5V/ns
　　储存温度：-55至150°C
　　最高工做结温：150°C

　　电气特性（T = 25°C的案例，除非另有规定）：
　　开/关状态

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