STP60NF06场效应管原装正品

　　简介：
　　该功率MOSFET系列采用ST微电子独特的带状FET工艺实现，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。所以，它适用于电信和计算机应用的高效隔离DC-DC变换器中的主开关。它也适用于低栅极电荷驱动要求的任何应用。

　　产品说明：
　　型号：STP60NF06
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A
　　漏源电压（Vdss）：60V
　　栅源极阈值电压（最大值）：4V@250uA
　　漏源导通电阻（最大值）：16mΩ@30A，10V
　　类型：N沟道：
　　功率耗散（最大值）：110W

　　技术参数：
　　ET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
　　FET功能：标准
　　漏源极电压（Vdss）：60V
　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc）
　　不一样?Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@30A，10V
　　不一样Id时的Vgs（th）（最大值）：4V@250μA
　　不一样Vgs时的栅极电荷（Qg）：73nC@10V
　　不一样Vds时的输入电容（Ciss）：1660pF@25V
　　功率-最大值：110W
　　工做温度：-55°C~175°C（TJ）
　　安装类型：通孔
　　封装/外壳：TO-220-3
　　供应商器件封装：TO-220AB

　　内部原理图：

　　绝对最大额定值：
　　漏源电压（Vgs=0）：60V
　　栅源电压：±20V
　　Tc=25°C时的漏电流（连续）：60A
　　Tc=100°C时的漏电流（连续）：42A
　　漏电流（脉冲）：240A
　　Tc=25°C时的总功耗：110W
　　降额系数：0.74W/°C
　　峰值二极管恢复电压斜率：7.5V/ns
　　储存温度：–55至175°C
　　最高工做结温度：-55至175°C