Infineon:N-MOS 电源方案（2）

接上一篇博客讨论了N-MOS方案，英飞凌也有推荐方案如下： 也是背靠背MOS驱动，区别是这里是S极背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根据需求选择MOS，提高系统的带载能力。 通过内部框图可以看出它是boost升压驱动提高Gate电压。并且Gate与Source之前钳位18V。 与上一篇不同之处，这里第一个MOS做开关，第二个MOS做防反。用来过抛负载试验的TVS管应该只能放在开关管前面，并且只能

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