Ti:N-MOS电源方案(1)

最近在看N-MOS电源输入方案。发现TI有一个比较不错的芯片ti:LM76202-Q1 双MOS背靠背结构,采用charge pump 升压实现N-MOS控制。 图中第一个N-MOS作为防反,第二个N-MOS做开关管。TVS放在电源输入侧。 这颗芯片集成了双MOS算是优点也是缺点。节省了空间与价格,但电流只能做到2.2A。不能用于动力总成部分。不过它的结构倒是很有参考意义。可以考虑外置N-MOS,
相关文章
相关标签/搜索