MOS器件的重要特性——15个为何？

MOS器件的重要特性——15个为何？（一）   （1）为何E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提升而增大？而随着温度的升高而降低？性能 【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所须要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，便可认为半导体表面强反型，由于这时反型层中的少数载流子（电子）浓度就等

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