MOS管的主要参数与重要特性

双极性晶体管：NPN和PNP管； 单极性晶体管：场效应管（MOSFET和JFET）； MOS管相对三极管具有速度快、输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、容易集成等优点。 下面总结下其主要参数与重要特性，只有比较好的理解了各种参数和特性才能设计出稳健可靠的电路。   主要参数： 静态特性参数 BVDSS：漏源击穿电压，为正温度系数。 BVGS：栅源击穿电压 VGS(th)：阈值电压，为负温度系数

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