比较FRAM和MRAM的区别

本篇文章由英尚微详细介绍非易失性MRAM与FRAM之间的区别。 疲劳 MRAM技术使用磁态进行数据存储。在两种状态之间切换磁极化不需要原子的运动，因此MRAM器件没有磨损机制。FRAM中的位存储需要响应电场，使其固有的电偶极子（在Pb（Zr，Ti）O3的情况下，氧八面体中的Ti4+离子）移动。随着时间的流逝，电容器中自由电荷的积累和其他离子缺陷将越来越阻碍偶极子的移动，此外与铁电偶极子的氢键键合是

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