非易失性存储器MRAM与FRAM的比较

“永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。由摩托罗拉和IBM率先开发的MRAM，通过将某些奇异材料暴露在磁场中而产生的数据位，随着存储单元中电阻变化而存储。FRAM由总部位于

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