芯片IO口Driving能力（Sourcing Current）测试方法

PMOS管测试步骤（Drive High Ability） 1、将IO PAD配置成output模式，DUT供电电压为可正常工作的最低电压，如依datasheet允许，下降10%（3.3V——>2.97V）等。 2、将IO PAD配置成最大Driving电流（Idrv-max）模式，例如，如果PAD driving能力有4/8 mA两档，则应该选择8mA这档进行测试。 3、将IO PAD连接电子负

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