NAND闪存的现状与未来

  NAND闪存在过去的一年中历经重大变革。闪存技术需要综合考虑许多方面，在生产工艺、数据完整性要求、最大写入次数等方面达成恰到好处的平衡。简单来讲，当我们刚刚踏入2016年时，原始闪存(称为2D NAND)的发展方式已经接近尽头，很难再通过精益化工艺增加单块芯片所支持的存储容量。 通过引入3D NAND的概念，现在的闪存单元可以堆叠在三维空间之中。在相对轻松的工艺要求下，将单块芯片的容量提升48

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