CMOS反相器之功耗分析

CMOS反相器的传播延时取决于它分别通过PMOS和NMOS管充电和放电负载电容CL所需要的时间。说明使CL尽可能小是实现高性能CMOS电路的关键。 可以用以下方式减小一个门的传播延时： （1）减小CL：该负载电容由三个主要部分组成：门本身的内部扩散电容、互联线电容和扇出电容。 （2）增加晶体管的W/L比 （3）提高VDD 反相器的延时只取决于它的外部负载电容与输入电容之间的比值。 动态功耗 由充放

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