SDRAM

SDRAM：http://blog.csdn.net/zmq5411/article/details/6524166

H57V2562GTR-75C:4,194,304-WORDS×4Banks×16Bits

刷新速度：8192/64ms。平均7.8125μs刷新一次，晶振50MHz，倍频到100MHz，时钟周期为10ns，故刷新计数器模块的计数值约为：780

但设计中采用15μs（7.8125μs×2=15.625μs）计时，每60ms所有4096行存储区进行一次自刷新 ( 存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms )

为了避免与存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms相冲突， 计划每60ms对所有4096行存储区进行一次自刷新 (60000000/4096)/20=732.421875(ns)，大约取733