三极管和MOS管驱动电路的正确用法

1 三极管和MOS管的基本特性

三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）两种，符号以下：

MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号以下（此处只讨论经常使用的加强型MOS管）：

2 三极管和MOS管的正确应用

（1）P型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的状况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，P型三极管便可开始导通。

基极用高电平驱动P型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使基极控制电平由高变低时，基极可以更快被拉低，P型三极管可以更快更可靠地截止。

（2）N型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的状况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，N型三极管便可开始导通。

基极用低电平驱动N型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使基极控制电平由低变高时，基极可以更快被拉高，N型三极管可以更快更可靠地截止。

因此，如上所述

对NPN三极管来讲，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。

对PNP三极管来讲，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是，负载R14接在集电极和VCC之间。

这样，就能够避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向能够明显看出。

（3）PMOS，适合源极接VCC漏极接负载到GND的状况。只要栅极电压低于源极电压（此处为VCC）超过Vth（即Vgs超过-Vth），PMOS便可开始导通。

栅极用低电平驱动PMOS导通（高电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极可以更快被拉高，PMOS可以更快更可靠地截止。

（4）NMOS，适合源极接GND漏极接负载到VCC的状况。只要栅极电压高于源极电压（此处为GND）超过Vth（即Vgs超过Vth），NMOS便可开始导通。

栅极用高电平驱动NMOS导通（低电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极可以更快被拉低，NMOS可以更快更可靠地截止。

因此，如上所述

对PMOS来讲，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。

对NMOS来讲，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。

3 设计原则

为避免负载的变化被耦合到控制端（基极Ib或栅极Vgs）的精密逻辑器件（如MCU）中，负载应接在集电极或漏极。

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