《涨知识啦4-金属半导体接触系列》---镜像力

根据上一讲中肖特基结形成原理的介绍，我们可知金属一侧的势垒高度由金属与半导体材料决定，不随外加偏压的变化而变化。仅由热电子发射理论，金属中越过势垒到达半导体中的电子数目取决于势垒高度，随着反向电压升高，反向电流将趋于饱和，而在实际测试中发现，随反向偏压增大反向电流也在逐渐增大，并没有理论预期的趋于饱和。 热电子发射模型是一个高度理想的模型，无法真实准确的描述复杂的肖特基接触结构，需要对该模型进行修

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