易失性存储DRAM详解

DRAM是一种半导体存储器，主要的做用原理是利用电容内存储电荷的多寡来表明一个二进制bit是1仍是0。与SRAM相比的DRAM的优点在于结构简单,每个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit一般须要六个晶体管。所以DRAM拥有很是高的密度，单位体积的容量较高所以成本较低。
 
DRAM存储原理
DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”，则电容被充电:若写入位为“0”，则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电，则该位为“1”;若电容没有被充电，则该位为“O”。

 
因为电容存在漏电阻，所以每一个位单元都必须不断地、周期性地对进行充电，以维持原来的数据不丢失，此行为称之为刷新。
 
DRAM特色
因为每一个存储位仅用一个晶体管和小电容，所以集成度比较高。就单个芯片的存储容量而言，DRAM能够远远超过SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的价格也大大低于SRAM。这两个优势使DRAM成为计算机内存的主要角色。DRAM的行列地址分时复用控制和须要刷新控制，使得它比SRAM的接口要复杂一些。DRAM的存取速度通常比SRAM要慢。
 
DRAM推荐型号

 
SRAM与DRAM的区别
SRAM
1.速度快
2.不须要刷新可保持数据
3.无需MCU带特殊接口
4.容量小，256Kb-16Mb
5.集成度低，单位容量价格高
6.静态功耗低，运行功耗大
 
DRAM
1.速度较慢
2.须要刷新来保持数据
3.须要MCU带外部存储控制器
4.容量大，16Mb-4Gb
5.集成度高，单位容量价格低
6.运行功耗低