NV-SRAM具备如下优势,能够知足理想SRAM器件的要求,该器件适用于游戏应用中的非易失性缓存实施。
快速访问:系统性能与所使用的高速缓存的访问速度直接相关。若是管理不当,则链接到快速控制器的慢速缓存会大大下降系统性能。所以高速缓存管理成为这种系统设计的重要方面。 NV-SRAM是业界最快的非易失性RAM,对于全部读取和写入操做,提供高达20 ns的访问速度。使用NV-SRAM代替慢速SRAM能够最大程度地减小缓存管理工做。
可靠性:NV-SRAM中使用的SONOS技术提供了无与伦比的可靠性。在目前的非易失性RAM技术中,工业温度范围在85ºC下可保存20年的数据是最高的之一。这使NV-SRAM成为最可靠的非易失性技术,而且是游戏应用程序的理想选择。
无限的耐用性:NV-SRAM容许将关键数据无限次写入其SRAM单元中,而不会耗尽耐久力或不适当的磨损平衡。当使用有限的耐用性计数非易失性存储器(例如EEPROM和闪存)时,这消除了在软件中实现损耗平衡或计算耐用性周期所需的全部工做。
绿色(无电池):与电池供电的SRAM不一样,NV-SRAM是不涉及电池的绿色解决方案。它仅使用一个小电容器将SRAM内容存储到非易失性元件,从而无需任何额外的备用电源便可保留数据。
实时时钟:许多游戏系统都但愿在写入安全位置以前对关键数据进行时间戳记。这一般须要额外的RTC芯片和相关组件。 NV-SRAM带有集成RTC功能的选项。这不只减小了BOM成本和电路板空间,并且还释放了一些与外部RTC器件接口所需的专用引脚资源。
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NV-SRAM除了是最快的非易失性SRAM解决方案以外,NV-SRAM还已经证实了其可靠性超过20年。 NV-SRAM具备16兆位的密度,这在游戏应用中一般是必需的。缓存