Eeprom和Flash的区别

　　存储器分为两大类：ram（内存：随机存储器）和rom（外存：程序存储器），分别存数据和程序。

　　ram就不讲了，今天主要讨论rom。 

　　（1）rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。

　　（2）后来出现了prom，能够本身写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。

　　（3）人类文明不断进步，终于出现了可屡次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序以后发现有个地方须要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，而后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几回。

　　（4）历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于能够随意的修改rom中的内容了。

　　（ROM--PROM--EPROM--EEPROM的进化！）

    　EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器（不要以为多高大上，其实常常都会用到），即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来说的。可是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。

　　

　　flash属于广义的EEPROM，由于它也是电擦除的rom。可是为了区别于通常的按字节为单位的擦写的EEPROM，咱们都叫它flash。狭义的EEPROM：这种rom的特色是能够随机访问和修改任何一个字节，能够往每一个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，能够保存100年，能够擦写100w次。具备较高的可靠性，可是电路复杂/成本也高。所以目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

　　flash作的改进就是擦除时再也不以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，下降了成本。上M的rom通常都是flash。

　　flash分为nor flash和nand flash。nor flash数据线和地址线分开，能够实现ram同样的随机寻址功能，能够读取任何一个字节。可是擦除仍要按块来擦。

　　nand flash一样是按块擦除，可是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）

　　因为nandflash引脚上复用，所以读取速度比nor flash慢一点，可是擦除和写入速度比nor flash快不少。nand flash内部电路更简单，所以数据密度大，体积小，成本也低。所以大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash可能是nor型的。

　　使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。并且nand flash能够标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便没法再用。

 　   由于nor flash能够进行字节寻址，因此程序能够在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

 

参考博文：http://blog.csdn.net/yuanlulu/article/details/6163106